MemSilicon完成1Gb RRAM芯片流片

AI 解读（根据原文生成）

铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。文章称其通过负压设计、统一复位电路、多电压域字线驱动、自适应保护偏置和片上自适应跟随读取电路，面向片上高密度大容量非易失存储及AI推理相关存储需求；目前已完成流片，正在推进验证。

要点（AI 据原文整理，数字均已与原文核对）

• 该芯片集成片上硬件纠错电路。
• 目前，“泰山一号”已完成流片，正在推进验证。